меню
Одиночные диоды
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Скорость
Время обратного восстановления (trr)
Технологии
Емкость @ Вр, Ф
Ток – средний выпрямленный (Io)
Пакет устройств поставщика
Рабочая температура - соединение
Оценка
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
Ток – обратная утечка @ Vr
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
107 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Скорость Время обратного восстановления (trr) Технологии Емкость @ Вр, Ф Ток – средний выпрямленный (Io) Пакет устройств поставщика Рабочая температура - соединение Оценка Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Квалификация
UJ3D06520KSD
DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
10,837
In Stock
Active
Gen-III
Tube
Active
TO-247-3 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 654pF @ 1V, 1MHz 10A TO-247-3 -55°C ~ 175°C - 650 V 1.7 V @ 10 A 120 µA @ 650 V -
11,601
In Stock
Active
Tube
Active
TO-220-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 392pF @ 1V, 1MHz 12A TO-220-2 -55°C ~ 175°C - 650 V 1.7 V @ 12 A 80 µA @ 650 V -
8,777
In Stock
Active
Gen-III
Tube
Active
TO-220-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 990pF @ 1V, 1MHz 30A TO-220-2 -55°C ~ 175°C - 650 V 1.7 V @ 30 A 370 µA @ 650 V -
8,251
In Stock
Active
Tube
Active
TO-247-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 510pF @ 1V, 1MHz 10A TO-247-2 -55°C ~ 175°C - 1200 V 1.6 V @ 10 A 110 µA @ 1200 V -
16,248
In Stock
Active
Tube
Active
TO-247-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 2340pF @ 1V, 1MHz 50A TO-247-2 -55°C ~ 175°C - 1200 V 1.7 V @ 50 A 400 µA @ 1200 V -
UJ3D06516TS
DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
1,939
In Stock
Active
Gen-III
Tube
Active
TO-220-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 500pF @ 1V, 1MHz 16A TO-220-2 -55°C ~ 175°C - 650 V 1.7 V @ 16 A 100 µA @ 650 V -
3,290
In Stock
Active
Tube
Active
TO-247-3 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 510pF @ 1V, 1MHz 10A TO-247-3 -55°C ~ 175°C - 1200 V 1.6 V @ 10 A 110 µA @ 1200 V -
UJ3D06560KSD
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
7,463
In Stock
Active
Tube
Active
TO-247-3 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 1980pF @ 1V, 1MHz 30A TO-247-3 -55°C ~ 175°C - 650 V 1.7 V @ 30 A 740 µA @ 650 V -
10,056
In Stock
Active
Tube
Active
TO-220-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 510pF @ 1V, 1MHz 10A TO-220-2 -55°C ~ 175°C - 1200 V 1.6 V @ 10 A 110 µA @ 1200 V -
1,407
In Stock
Active
Tube
Active
TO-247-2 Through Hole No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns SiC (Silicon Carbide) Schottky 810pF @ 1V, 1MHz 20A TO-247-2 -55°C ~ 175°C - 1200 V 1.7 V @ 20 A 190 µA @ 1200 V -