￥ 人民币 $ USD € 欧元
简体中文 Русский English
86+13620209915
меню
Одиночные диоды
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Скорость
Время обратного восстановления (trr)
Технологии
Емкость @ Вр, Ф
Ток – средний выпрямленный (Io)
Пакет устройств поставщика
Рабочая температура - соединение
Оценка
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
Ток – обратная утечка @ Vr
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
567 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Скорость Время обратного восстановления (trr) Технологии Емкость @ Вр, Ф Ток – средний выпрямленный (Io) Пакет устройств поставщика Рабочая температура - соединение Оценка Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Квалификация
1N5403BULK
1N5403BULK
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
14,500
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 28pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 300 V 1 V @ 3 A 5 µA @ 300 V -
HER303BULK
HER303BULK
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
3,500
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns Standard 50pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 150°C - 200 V 1.1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V -
BY550-1000G
BY550-1000G
DIODE GEN PURP 1KV 5A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
6,050
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 50pF @ 4V, 1MHz 5A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 1000 V 1.1 V @ 5 A 20 µA @ 1000 V -
1N5407BULK
1N5407BULK
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
5,000
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 28pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 800 V 950 mV @ 3 A 5 µA @ 800 V -
1N5406BULK
1N5406BULK
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
27,000
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 28pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 600 V 950 mV @ 3 A 5 µA @ 600 V -
FR303BULK
FR303BULK
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
6,000
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns Standard 60pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 150°C - 200 V 1.3 V @ 3 A 10 µA @ 200 V -
HER306BULK
HER306BULK
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
3,480
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns Standard 50pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 150°C - 600 V 1.7 V @ 3 A 10 µA @ 600 V -
1N5405BULK
1N5405BULK
DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
16,000
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 28pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 500 V 1 V @ 3 A 5 µA @ 500 V -
1N5402BULK
1N5402BULK
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
7,750
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 28pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -65°C ~ 175°C - 200 V 950 mV @ 3 A 5 µA @ 200 V -
HVR320BULK
HVR320BULK
DIODE GEN PURP 2KV 3A DO201AD
EIC Semiconductor, Inc.
3,481
Marketplace
Active
Bag
Active
 DO-201AD, Axial Through Hole Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Standard 36pF @ 4V, 1MHz 3A DO-201AD -40°C ~ 150°C - 2000 V 2.2 V @ 3 A 10 µA @ 2000 V -