меню

EMB9T2R

номенклатурный номер
EMB9T2R
производитель ROHM
описание TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
подробное описание Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Стандартный срок поставки 1 days
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max 150mW
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package EMT6

доступно для заказа

(1000)
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке