IXTP1R6N50D2 - IXYS

86+13620209915

IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

номенклатурный номер	IXTP1R6N50D2
производитель	IXYS
описание	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
подробное описание	N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Стандартный срок поставки	57 weeks
Спецификация	Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case		TO-220-3
Mounting Type		Through Hole
Operating Temperature		-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology		MOSFET (Metal Oxide)
FET Type		N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C		1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs		2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature		Depletion Mode
Power Dissipation (Max)		100W (Tc)
Supplier Device Package		TO-220-3
Vgs (Max)		±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)		500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs		23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds		645 pF @ 25 V

доступно для заказа

количество (1299)

Упаковка	количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }}	{{ priceFormat(price.unit_price) }}	{{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}

Подробная информация о ценах пока отсутствует.

Временно невозможно получить информацию об упаковке