меню

RQ3E120GNTB

номенклатурный номер
RQ3E120GNTB
производитель ROHM
описание MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
подробное описание N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Стандартный срок поставки 21 weeks
Спецификация Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 15 V

доступно для заказа

(14310)
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке