SI3460DDV-T1-GE3 - VISHAY

86+13620209915

SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

номенклатурный номер	SI3460DDV-T1-GE3
производитель	VISHAY
описание	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
подробное описание	N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Стандартный срок поставки	18 weeks
Спецификация	Datasheet Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case		SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type		Surface Mount
Operating Temperature		-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology		MOSFET (Metal Oxide)
FET Type		N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C		7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs		28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max)		1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id		1V @ 250µA
Supplier Device Package		6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)		1.8V, 4.5V
Vgs (Max)		±8V
Drain to Source Voltage (Vdss)		20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs		18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds		666 pF @ 10 V

доступно для заказа

количество (4929)

Упаковка	количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }}	{{ priceFormat(price.unit_price) }}	{{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}

Подробная информация о ценах пока отсутствует.

Временно невозможно получить информацию об упаковке