номенклатурный номер |
GD10MPS12H
|
---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor |
Прочие номера деталей |
1242-GD10MPS12H-ND
1242-GD10MPS12H
|
описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2 |
подробное описание | Diode 1200 V 10A Through Hole TO-247-2 |
Стандартный срок поставки | 18 weeks |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | GeneSiC Semiconductor | |
серия |
SiC Schottky MPS™
|
|
Статус | Active | |
Пакет/кейс | TO-247-2 | |
Тип монтажа | Through Hole | |
Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
Время обратного восстановления (trr) | 0 ns | |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
Ток – средний выпрямленный (Io) | 10A | |
Пакет устройств поставщика | TO-247-2 | |
Рабочая температура - соединение | 175°C | |
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 1200 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | GD10MPS12H |
свойство | Описание | |
---|---|---|
California Prop 65 | California Prop 65 Information | |
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.10.0080 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |