категория | ||
---|---|---|
производитель | GaNPower | |
серия | ||
Статус | Active | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 7A | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 3.5mA | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 6V | |
ВГС (Макс) | +7.5V, -12V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 76.1 pF @ 400 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | GPI65007DF56 |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | 3A001 | |
HTSUS | 8541.49.7000 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 Hours) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |
количество | единовременная цена | Общий ценник |
---|---|---|
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} | {{ priceFormat(price.unit_price) }} | {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }} |