меню

GPI65008DF68

номенклатурный номер
GPI65008DF68
производитель GaNPower
Прочие номера деталей
4025-GPI65008DF68TR-ND
4025-GPI65008DF68TR
описание GaNFET N-CH 650V 8A DFN6x8
подробное описание N-Channel 650 V 8A Surface Mount
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель GaNPower
серия
Статус Active
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
Vgs(th) (Макс) @ Id 1.7V @ 3.5mA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
ВГС (Макс) +7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.1 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 63 pF @ 400 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила GPI65008DF68

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN 3A001
HTSUS 8541.49.7000
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 Hours)
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

доступно для заказа

Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке