меню

GPI65010DF56

номенклатурный номер
GPI65010DF56
производитель GaNPower
Прочие номера деталей
4025-GPI65010DF56TR-ND
4025-GPI65010DF56TR
описание GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
подробное описание N-Channel 650 V 10A Surface Mount Die
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель GaNPower
серия
Статус Active
Пакет/кейс Die
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика Die
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
ВГС (Макс) +7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.6 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 90 pF @ 400 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила GPI65010DF56

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Vendor Undefined
Достигнуто состояние REACH Vendor Undefined
Состояние RoHS Not applicable

доступно для заказа

Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке