меню

GPI65060DFC

номенклатурный номер
GPI65060DFC
производитель GaNPower
Прочие номера деталей
4025-GPI65060DFCTR-ND
4025-GPI65060DFCTR
описание GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
подробное описание N-Channel 650 V 60A Surface Mount 8-DFN (8x8)
Спецификация Datasheet

продуктовые свойства

категория
производитель GaNPower
серия
Статус Active
Пакет/кейс 8-DFN
Тип монтажа Surface Mount
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика 8-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
ВГС (Макс) +7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 420 pF @ 400 V

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка
Правила GPI65060DFC

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN 3A001
HTSUS 8541.49.7500
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 Hours)
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

доступно для заказа

Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке